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SI3457CDV-T1-E3 |
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI3457CDV-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.1A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：74 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：450pF @ 15V 功率 - 最大值：3W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： D-SubMDM-51SH005P 板对板 - 阵列，P50L-100S-A-DA 圆形KPT06A20-16PWA206 PTC 可复位保险B59607A0120A062 热敏电阻 - PTB59601A75B62 存储器M93C86-WDW6TP Card EdgeAMM28DRMD-S288 存储器 - 模块MD2202-D48 璀︾瑳AW-10PR 配件FPBAG |
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